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　　鐵電材料是一類具有特殊電學性能的材料，它們在一定溫度范圍內具有鐵電性，即具有自發極化和電滯回線等特性，同時鐵電材料也是一種具有重要應用價值的材料，其測試對于材料科學的發展和信息存儲、處理和傳輸等領域都有重要的推動作用。Aigtek安泰電子今天就將為大家分享一篇鐵電材料測試領域研究成果，一起接著往下看吧~

　　現代微芯片和傳感器件是支撐現今信息社會的重要載體。隨著技術及工藝進步，對材料物性及器件結構提出了更高要求。近年來，新型低維材料出現，其獨特結構和奇異物性備受關注，已在電子和光電子器件等領域顯現出其潛在的價值。通過元素摻雜來調控半導體材料載流子類型及濃度是構建半導體功能器件的物理基礎。具體到新型低維半導體材料，如何實現對其載流子的精準調控，同樣是實現其豐富功能器件的必經之路。

　　在2020年，中國科學院上海技術物理研究所研究人員與復旦大學、南京大學、南京大學、華東師范大學及中科院微電子研究所的相關團隊通力合作，提出了利用非易失性的鐵電極化場對低維半導體材料的精準摻雜的新方法，并運用該方法構建了多種新型功能的電子和光電子器件。

　　實驗名稱：利用非易失性的鐵電極化場對低維半導體材料的精準摻雜的新方法

　　圖1納米探針操控鐵電疇調控的低維半導體同質結（自上而下實現）

　　具體地，研究人員提出了兩種利用鐵電極化調控構建低維半導體光電器件方法。其一、通過納米探針技術極化鐵電薄膜，進而調控其覆蓋的低維半導體（自上而下方法，見圖1）。加正向電壓，極化向下，半導體材料中注入電子；加負向電壓，極化向上，半導體材料中注入空穴。其特征在于器件圖案可任意編輯、可擦除重新寫入、摻雜區域的空間尺寸精確，基于此方法研究人員構建了p-n結、BJT晶體管及新型存儲等器件。其二、構建裂柵結構，通過固態電極施加電壓極化鐵電薄膜，進而調控頂層低維半導體（自下而上，見圖2）。其特點是實現了固態結構，極化充分，器件性能及穩定性更佳。運用上述兩種技術途徑，皆可實現結型光電探測器及光伏器件，器件探測波長可覆蓋可見-短波紅外波段。

　　圖2裂柵極化調控的低維半導體p-n結固態結構（自下而上實現）

　　上述工作提出的鐵電極化場調控低維半導體載流子的方法，為低維半導體功能化應用提供了新技術途徑。相關研究成果相繼在《自然-電子學》（doi.org/10.1038/s41928-019-0350-y）和《先進材料》（doi.org/10.1002/adma.201907937）等期刊公開發表。

　　以上是關于該實驗的具體介紹，Aigtek安泰電子ATA-7000系列高壓放大器，在鐵電材料極化測試中也有著良好應用，它是一款理想的可放大交、直流信號的功率放大器。單端輸出20kVp-p（±10kVp）高壓，可以驅動高壓型負載。電壓增益數控可調，一鍵保存常用設置，為您提供了方便簡潔的操作選擇。

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　　帶寬（-3dB）DC~100kHz

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